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SLM2103S

600V, 290mA/600mA 高压（yā）半桥驱动

样片申请

SLM2103S Datasheet

产品（pǐn）概述

产品（pǐn）特性

安规认（rèn）证

典型（xíng）应用图

产品（pǐn）概述

SLM2103S是一款高（gāo）压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动（dòng）器，它提供相互依存的（de）高边、低边（biān）输出驱动（dòng）信号。采（cǎi）用专（zhuān）有的高压集（jí）成电路和锁存免疫CMOS技术，提供（gòng）可靠的单芯片（piàn）驱动（dòng）方案。逻辑输入（rù）电（diàn）平与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具（jù）有（yǒu）高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。延时匹配（pèi）很方便（biàn）应（yīng）用于高频设备。浮动（dòng）通道可（kě）用（yòng）于驱动高（gāo）边配置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可（kě）高达600V。

产（chǎn）品特性

为自举供电设（shè）计的浮动通道（dào）

全电（diàn）压范围运行达600V

允（yǔn）许瞬态负电压，不（bú）受（shòu）dV/dt影响

驱动电源范围从10V到20V

欠压闭锁

3.3V，5V，15V逻辑兼（jiān）容

防（fáng）止交叉导通（tōng）逻辑

两通道间匹配传输（shū）延时

典型驱（qū）动（dòng）电流：290mA/600mA

内（nèi）部设定死区：520ns

高边输入输（shū）出同相