SLM2110是一款高压、高速（sù）的功率（lǜ）MOSFET和IGBT驱动器，它提供独立（lì）的高边、低边（biān）输出驱动信号。采用专有的高（gāo）压集成电路和锁存免疫CMOS技（jì）术，提供可靠的单（dān）芯片驱动方案。逻辑输入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输（shū）出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有（yǒu）高（gāo）脉（mò）冲（chōng）电流（liú）缓冲（chōng）级，以减小驱动器交叉（chā）导通。延时匹配很方便（biàn）应用（yòng）于（yú）高频设（shè）备。浮（fú）动通道可用于驱动高边配置的（de）N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。
为（wéi）自举供电设计的浮动通道
全电压范围运（yùn）行达600V
允许瞬态负电压，不受（shòu）dV/dt影响
驱动（dòng）电源范围从（cóng）10V到（dào）20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V和15V逻辑兼容（róng）
逻辑地（dì）和功率地能承受±5V偏置（zhì）
防止交（jiāo）叉导通逻辑
输入有下拉电阻的（de）COMS斯密特触发器
逐周期边（biān）缘触发的关闭逻辑
两通（tōng）道间匹配（pèi）传（chuán）输延时
输入输（shū）出同相
典型开通/关断延时：140ns/140ns
典型驱（qū）动电流：1A/1.6A
400 080 9938
