SiLM27519 器件（jiàn）是单（dān）通道高（gāo）速（sù）低边门极驱动器，可有（yǒu）效（xiào）驱（qū）动 MOSFET 和（hé） IGBT 等功率开（kāi）关。SiLM27519 采用一（yī）种能够从（cóng）内（nèi）部极大的降（jiàng）低（dī）直通（tōng）电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载（zǎi），以实现轨到（dào）轨（guǐ）的（de）驱（qū）动能力和典型值仅为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况（kuàng）下，能（néng）够提供 4A 的（de）峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值灌电流。
低成本的门极驱动方（fāng）案（àn）可（kě）用（yòng）于替（tì）代 NPN 和 PNP 分离器件（jiàn）方案
4A 的峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流能力
快速的传输延（yán）时（shí）（典型（xíng）值为 18ns）
快速的上升（shēng）和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电源范围（wéi）
VDD 欠压闭锁功（gōng）能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻（luó）辑电压（yā）阈值
双输入设计(可选择反相或非（fēi）反（fǎn）相驱动配置)
输入浮空时（shí）输出保持为低
工作（zuò）温（wēn）度（dù）范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-5 的封装选项
400 080 9938
