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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥（qiáo）驱动

样片申请（qǐng）

SiLM2024 Datasheet

产品概述

产品（pǐn）特性

安规认证

典型应（yīng）用图

产（chǎn）品概述

SiLM2024 是一款（kuǎn）高压、高速的功率MOSFET和（hé）IGBT驱动器（qì）。采用专有的高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可（kě）提供可靠的单芯片（piàn）驱（qū）动方案。逻辑输入电平与标（biāo）准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支（zhī）持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉（chā）导通。浮动通道（dào）可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举操（cāo）作（zuò）设计的浮动通道

完全运（yùn）行（háng）时电压高达（dá） 200V

容许瞬间负（fù）电压，不受 dV/dt 影响

驱动（dòng）电源范围从 10V 到 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼容

驱（qū）动电流：290mA/600mA

典型（xíng）的开（kāi）通/关断延时（shí）：680 ns/150 ns

死区时间：520 ns

防（fáng）止交叉（chā）导通逻辑

两通道（dào）间（jiān）匹配传输延迟（chí）